電磁波 媒質特性計算機

電磁波が媒質を通過するときの波長・反射率・透過率・電力半減深度・表皮厚みを計算。電磁波シールド設計・基板設計・電波吸収体の検討に。

入力

媒質の種類

計算結果

波長

真空中の波長 λ₀124.9135 mm
媒質中の波長 λ_m59.5502 mm

反射・透過(空気からの垂直入射)

媒質インピーダンス Z179.5991 Ω
パワー反射率 |Γ|²12.5559 %
パワー透過率87.4441 %

電力半減深度(絶縁体損失)

電力が半分になる距離328.4723 mm

電磁波と媒質の関係

電磁波が媒質(絶縁体・導体)を通過するとき、その挙動は媒質の電気的特性(比誘電率 εr、誘電正接 tan δ、比透磁率 μr、電気抵抗率 ρ)に依存します。本ツールは、電磁波シールド設計・基板設計・電波吸収体の検討で必要な5つの代表的な物理量を計算します。

計算する物理量

  • 真空中の波長 λ₀:λ₀ = c/f(光速 ÷ 周波数)
  • 媒質中の波長 λ_m:λ_m = λ₀ / √(εr × μr)(絶縁体)
  • 反射率 |Γ|²:媒質境界での電力の戻り割合(空気からの垂直入射)
  • 透過率 1 − |Γ|²:媒質に進入する電力の割合
  • 電力半減深度:絶縁体内で電力が半分に減衰する距離(tan δ > 0 のとき)
  • 表皮厚み δ:導体内で電界振幅が 1/e(約 36.8%)になる距離

主要な公式

λ₀ = c / f(c = 299,792,458 m/s)
λ_m = λ₀ / √(εr × μr) [絶縁体]
Z = η₀ × √(μr/εr)、η₀ ≈ 377 Ω
Γ = (Z − η₀) / (Z + η₀) 反射係数
電力半減深度 = ln(2) / (2α)、α ≈ (ω/c)√(εr·μr)·(tan δ / 2)
表皮厚み δ = √(2ρ / (ωμ₀))[導体・μr=1の場合]

代表的な材料の比誘電率(εr)と誘電正接

材料εrtan δ(@ 1GHz)
空気・真空1.00
PTFE(テフロン)2.10.0002
ポリエチレン2.30.0005
FR-4 基板4.40.02
ガラス(一般)70.005
アルミナ9.80.0001
純水(液体)800.04
コンクリート(乾燥)60.05

主要な金属の電気抵抗率(20℃)

金属ρ [Ωm]
1.59 × 10⁻⁸
1.68 × 10⁻⁸
2.44 × 10⁻⁸
アルミニウム2.65 × 10⁻⁸
9.71 × 10⁻⁸
ステンレス SUS3047.2 × 10⁻⁷

よくある使い方

  • 電磁波シールド設計:表皮厚みの数倍以上の金属厚みで効果的にシールド
  • 基板設計:FR-4 内の波長から伝送線路の長さ・反射係数を見積もる
  • 電波吸収体検討:媒質中の電力半減深度から必要な厚みを計算
  • 建材の電波透過性:コンクリート壁・ガラスでの電波減衰を予測
  • 電子レンジ設計:水分(εr=80, tan δ=0.04)での電力吸収特性

よくある質問(FAQ)

Q. 比誘電率と誘電正接の違いは?
A. 比誘電率(εr)は実部で電磁波の伝播速度を遅くする度合い、誘電正接(tan δ)は虚部で損失(熱化)の度合いを示します。低損失材は tan δ が小さい(PTFE: 0.0002)、損失材は大きい(コンクリート: 0.05)です。
Q. 表皮厚みより薄い金属でも電磁波を遮蔽できる?
A. 表皮厚みは電界振幅が 1/e(約 37%)になる距離。実用的なシールドには通常 5δ 以上の厚みが推奨されます。例えば 1MHz の銅では δ ≈ 66μm なので、330μm 以上が望ましいです。
Q. 高周波になるほど表皮厚みは薄くなる?
A. はい、δ ∝ 1/√f なので周波数が高くなるほど表皮厚みは薄くなります。GHz 帯では数μm以下になるため、薄い金属箔でも高い遮蔽性能が得られます。
Q. 反射率が高いほどシールド性能が高い?
A. 反射率はインピーダンス整合のミスマッチに依存します。金属は反射が大きく(>99%)、誘電体は εr によって変わります。シールドには反射損失と吸収損失(表皮効果)の両方が寄与します。
Q. 電子レンジ(2.45GHz)で水が温まる仕組みは?
A. 水の εr ≈ 80 で大きく、tan δ ≈ 0.04 のため、電力半減深度は数 cm 程度。電磁波エネルギーが水分子を振動させて熱に変わる「誘電損失加熱」が原理です。
Q. 入力データはどこに保存されますか?
A. 入力データはあなたの端末(ブラウザ localStorage)にのみ保存され、当社のサーバーを含む外部に送信されることはありません。

注意事項

  • 本ツールは平面波・垂直入射・線形等方均質媒質を仮定した近似計算です。
  • 誘電率・透磁率・抵抗率は周波数依存性があり、本ツールでは入力値を一定として計算します。
  • 導体の比透磁率 μr は1(非磁性)として計算しています。磁性体(Fe、Ni、フェライト)では別途補正が必要。
  • 厳密な設計では電磁界シミュレーション(HFSS、CST等)の使用を推奨します。

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出典・参考

最終更新日: 2026年5月8日

変更履歴
  • 2026/05/08 — 公開